همبستگی تخلخل با زبری توسط طیف پراکندگی سطوح نانویی سیلیکان متخلخل

نویسندگان

رضا ثابت داریانی

r dariani department of physics, alzahra university, tehran, iranگروه فیزیک، دانشگاه الزهرا (س)، تهران ستاره ابراهیم نسب

s ebrahimnasab department of physics, alzahra university, tehran, iranگروه فیزیک، دانشگاه الزهرا (س)، تهران

چکیده

10 ma/cm2طیف بازتاب، چهار نمونه سیلیکان متخلخل تحت زمانهای خوردگی 2، 6، 10 و 14 دقیقه با چگالی جریاناندازه گیری شد. رفتار طیف بازتاب برای هر چهار نمونهیکسان، اما شدت آنها متفاوت بود و با افزایش زمان، شدت بازتاب، کاهش می یافت. دلیل عدم تغییر در رفتارهای طیف بازتاب ، یکسان بودن غلظت محلول الکترولیت در طول ساخت بوده و کاهش شدت بازتاب به دلیل کاهش ابعاد ذرات است. علاوه بر آن ناحیه مربوط به کمترین (550 nm-650 nm)شدت در طیف بازتابمربوط به گاف انرژی در سیلیکان متخلخل است که انتقال آبی را نیز نشان می دهد. بررسی زبری سطح نمونه های سیلیکان متخلخل با اندازه گیری طیف پراکندگی و با بکار بردن معیار رایلی و معادله دیویس- بنت، انجام شد. طیف پراکندگی نمونه ها در زاویه های فرود 10 و 15 و 20 درجه با استفاده از دستگاه اسپکتروفوتومتر، اندازه گیری شد. شدت نور پراکنده شده با افزایش زاویه پراکندگی به غیر از حالت بازتاب آینه ای، کاهش یافت که این با معیار رایلی توافق دارد. همچنین بررسی های امان نشان دادند. با افزایش زمان خوردگی، درصد تخلخل، ابعاد و تعداد حفره ها افزایش یافته و در نتیجه میزان بیشتری از نور برخوردی جذب می شود و شدت پراکندگی از سطح کاهش خواهد یافت، اما از آنجاییکه شدت پراکندگی با تغییر مقیاس مشاهده، طول موج، تغییر می کند بنابراین شدت پراکندگی و میزان خوردگی نیز با تغییر مقیاس مشاهده تغییر می کند

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

بررسی خواص پراکندگی سیلیکان متخلخل

  Porous silicon (PS) layers come into existance as a result of electrochemical anodization on silicon. Although a great deal of research has been done on the formation and optical properties of this material, the exact mechanism involved is not well-understood yet.   In this article, first, the optical properties of silicon and porous silicon are described. Then, previous research and the prop...

متن کامل

بررسی خواص پراکندگی سیلیکان متخلخل

سیلیکان متخلخل (ps) بر اثر آندیزاسیون الکتروشیمیایی روی ویفر سیلیکان به وجود می آید. تاکنون تحقیقات فراوانی درباره چگونگی تشکیل این ماده و خواص نوری آن به ویژه فوتولومینسانس (pl) انجام شده, اما هنوز سازوکار دقیق آنها شناخته نشده است. در این مقاله ابتدا نظریه پراکندگی نور از سطوح ناهموار تصادفی و سپس انعکاس و پراکندگی, جذب و عبور نور از ps بررسی می شود و سرانجام کارهای عملی انجام شده بر روی نمون...

متن کامل

پراکندگی موج از سطوح فراکتالی با زبری نانومتری

در این مقاله اثر سه طول مشخصه طول موج پرتو تابیده شده به سطح (l)، زبری (s) و طول همبستگی سطح (x) برای سطوح با زبری نانومتری با استفاده از شدت موج پراکنده شده به کمک تئوری پراکندگی موج کیرشهف مطالعه شده است. در این مطالعه مشخص شد که مقیاس طول همبستگی نقش مهمی در نوع پراکندگی از سطوح زبر با زبری نانومتری بازی می‌کند. تاکنون در اغلب گزارش‌ها برای پراکندگی موج از سطوح زبر از پارامتر بدون بعد ks است...

متن کامل

بررسی نانوساختار های سیلیکان متخلخل بوسیله ی پراکندگی رامان

در این پژوهش تلاش شده است درباره ی تمامی اطلاعاتی که می توان از طیف رامان درباره ی سیلیکان متخلخل فهمیده شود، بحث شود. نمونه های سیلیکان متخلخل تحت چگالی جریان 20 میلی آمپر بر سانتیمتر مربع و مدت زمان های خوردگی 10، 20، 30، 40 و 50 دقیقه ساخته شدند. الکترولیت مورد استفاده محلول (hf: اتانول) = (1:1) بود. طیف رامان این نمونه ها نمایانگر مشخصات زیر در نمونه هاست: 1- افزایش شدت پیک رامان با افزایش...

بررسی وابستگی میکروساختارهای سطحی سیلیکان متخلخل و خواص اپتیکی آن

  We have studied the effect of increasing porosity and its microstructure surface variation on the optical and dielectric properties of porous silicon. It seems that porosity, as the surface roughness within the range of a few microns, shows quantum effect in the absorption and reflection process of porous silicon. Optical constants of porous silicon at normal incidence of light with wavelengt...

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید


عنوان ژورنال:
پژوهش فیزیک ایران

جلد ۱۴، شماره ۴، صفحات ۲۴۲-۲۴۸

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023